特别是在0.5MLiBF4/EMIMTFSI/PVDF-HFP离子凝胶中实现了-15mVK-1的热电势，避免这是所报道的n-型离子热电材料的最高值之一。
此外，失败数据MicroLED中使用的RGB器件是无机材料，因此没有老化和烧屏问题，并且可以带来10万小时以上的稳定高亮度和画质。此外，样玩他们还在考虑将MicroLED的应用扩展到小型显示屏，如广告标牌和智能手表等。
此外，避免MicroLED的体积约为目前主流LED大小的1%，避免且应用范围非常广阔，可应用小至手环和手表等可穿戴设备，大至商用广告牌和公共显示屏，甚至VR或者VR设备等的，并且表现比传统的液晶面板甚至OLED都更好一些。10月17日消息，失败数据三星电子发布了一段视频，介绍了他们对于MicroLED的规划，并向用户展示了MicroLED的开发过程及其背后的工艺。三星电子表示，样玩他们计划从今年开始在全球推广MicroLED。
据介绍，避免三星电子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，仅为一般100型高分辨率B2B产品中LED器件的10%。MicroLED是一种自发光显示技术，失败数据采用微米（μm）级、比头发还细的超小型LED元器件，无需背光或滤色片即可实现发光以及着色。
相比OLED，样玩MicroLED的亮度也要更高一些，而且寿命也会更长，性能更加稳定，亮度和色彩饱和度更高，响应速度也更快。
为顺应超大显示屏的市场趋势，避免该公司还计划将其产品阵容扩大到76英寸、89英寸、101英寸和114英寸等。实际上，失败数据Bhatia等人报道了Ba2BiTaO6具有4.5eV的超宽禁带，K+掺杂的Ba2BiTaO6多晶球显示出高达30cm2V−1s−1的大空穴迁移率。
利用HAXPES实验，样玩在三个Ba2BiMO6的VBM中都观察到了Bi3+6s2的存在。避免脉冲激光沉积用于生长高质量外延薄膜。
Bi3+产生的Bi6s2孤对态与O2p杂化形成VB的顶部，失败数据具有提供高p型迁移率的势，而Bi5+产生的空Bi6s0则形成CB的底部。由p型Ba2BiTaO6和n型Nb掺杂SrTiO3构成的P-N结二极管在±3V时具有1.3×104的高整流率，样玩具有制备高质量器件的巨大潜力。
